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- / 厚光刻膠測(cè)量總不準(zhǔn)怎么辦?這款測(cè)厚儀近紅外技術(shù)快速高效精準(zhǔn)
厚光刻膠作為微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)、微流控器件和先進(jìn)封裝工藝中的關(guān)鍵材料,其厚度均勻性直接影響產(chǎn)品的性能與良率。然而,SU-8 等厚光刻膠的厚度通??蛇_(dá)數(shù)十至數(shù)百微米,傳統(tǒng)可見(jiàn)光測(cè)厚儀因波段限制無(wú)法有效穿透,測(cè)量結(jié)果往往存在較大偏差,成為制約工藝提升的技術(shù)瓶頸。作為精密薄膜測(cè)量領(lǐng)域的專業(yè)服務(wù)商,優(yōu)尼康科技推出的 Filmetrics F3-sX 光學(xué)厚膜測(cè)厚儀,憑借獨(dú)家近紅外光譜反射技術(shù),解決了厚光刻膠測(cè)量的行業(yè)難題。
一是厚光刻膠對(duì) 380-1050nm 波段的可見(jiàn)光具有強(qiáng)吸收特性,傳統(tǒng)可見(jiàn)光測(cè)厚儀的光源無(wú)法穿透膠層到達(dá)基底,無(wú)法形成完整的干涉光譜,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果完全失真。
二是厚光刻膠涂覆工藝后表面粗糙度通常超過(guò) 1μm,傳統(tǒng)測(cè)厚儀標(biāo)配的 1.5mm 大光斑會(huì)將表面起伏的信號(hào)平均化,無(wú)法反映局部厚度的真實(shí)差異,而 MEMS 器件的微結(jié)構(gòu)區(qū)域往往需要微米級(jí)的厚度精度控制。
三是傳統(tǒng)測(cè)量方式多依賴破壞性的斷面掃描電鏡檢測(cè),單個(gè)樣品檢測(cè)耗時(shí)超過(guò) 2 小時(shí),且無(wú)法重復(fù)利用,極大增加了研發(fā)與生產(chǎn)成本。
這款測(cè)厚儀標(biāo)配 10μm 微小測(cè)量光斑,能夠精準(zhǔn)聚焦于樣品表面的微區(qū),有效避開(kāi)粗糙表面的高低起伏干擾,即使是 MEMS 器件中寬度僅 20μm 的微結(jié)構(gòu)區(qū)域,也能實(shí)現(xiàn)高精度的局部膠厚測(cè)量。同時(shí),系統(tǒng)支持高達(dá) 1kHz 的測(cè)量速率,不僅能滿足實(shí)驗(yàn)室快速樣品檢測(cè)需求,還可集成至卷對(duì)卷 (R2R) 生產(chǎn)線中,實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中的實(shí)時(shí)膜厚監(jiān)控。

F3-s980 為成本優(yōu)化型,波長(zhǎng)范圍 960-1000nm,適合常規(guī)厚膜測(cè)量,最大測(cè)量厚度可達(dá) 1.5mm
F3-s1310 專為重?fù)诫s硅優(yōu)化,波長(zhǎng)范圍 1280-1340nm,可準(zhǔn)確測(cè)量低電阻率硅片上的厚光刻膠與外延層
F3-s1550 為超厚膜型,波長(zhǎng)范圍 1520-1580nm,測(cè)量范圍最高可達(dá) 3mm,適用于極限厚膜與化合物半導(dǎo)體測(cè)量
值得一提的是,這款測(cè)厚儀還可選配可見(jiàn)光波段擴(kuò)展模塊 (380-1050nm),將測(cè)量下限從 15nm 進(jìn)一步延伸至納米級(jí)超薄膜。一臺(tái)設(shè)備即可覆蓋從超薄光學(xué)鍍膜到 3mm 厚膜的全量程測(cè)量需求,特別適合同時(shí)擁有多種厚度范圍樣品的綜合性實(shí)驗(yàn)室與產(chǎn)線。
引入優(yōu)尼康 Filmetrics F3-sX測(cè)厚儀后,該企業(yè)徹底解決了這一生產(chǎn)瓶頸。技術(shù)人員表示:"SU-8 膠厚動(dòng)輒幾十到上百微米,普通的可見(jiàn)光反射儀很難測(cè)準(zhǔn),優(yōu)尼康這款測(cè)厚儀的近紅外波段和 10μm 光斑完美解決了這個(gè)問(wèn)題。