<samp id="meuei"></samp>
  • <ul id="meuei"></ul>
    
    
  • <samp id="meuei"><pre id="meuei"></pre></samp>
  • <samp id="meuei"><tfoot id="meuei"></tfoot></samp>
  • <th id="meuei"><nav id="meuei"></nav></th>
  • <th id="meuei"><nav id="meuei"></nav></th>

    KLA R54 四探針電阻率測量儀

    KLA R54 四探針電阻率測量儀是薄膜電阻和導(dǎo)電率測繪系統(tǒng)。從半導(dǎo)體制造到實現(xiàn)可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品,薄膜電阻監(jiān)控對于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都比較重要。

    • 產(chǎn)品名稱 KLA R54 四探針電阻率測量儀
    • 品牌 KLA
    • 產(chǎn)品型號 R54-200
    • 產(chǎn)地 美國


    KLA R54 四探針電阻率測量儀



    圖片關(guān)鍵詞

    KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品介紹:

    KLA R54 四探針電阻率測量儀KLA的電阻率測量產(chǎn)品。從半導(dǎo)體制造到實現(xiàn)可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品,薄膜電阻監(jiān)控對于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都相當(dāng)重要。KLA R54 四探針電阻率測量儀在功能上針對金屬薄膜均勻性測繪、離子注入表征和退火特性、薄膜厚度和電阻率測量以及非接觸式薄膜厚度測量進(jìn)行了優(yōu)化。


    KLA R54 四探針電阻率測量儀優(yōu)勢:

    • 測試點自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標(biāo)以及自定義配置

    • 可選至多可容納300毫米圓形或A4210mm*297mm)樣品

    • 導(dǎo)體和半導(dǎo)體薄膜電阻,10個數(shù)量級范圍適用

    • 可配置四探針(4PP)或非接觸式渦流(EC)模式

    • 封閉系統(tǒng)便于測量光敏或者環(huán)境敏感樣品

    • 支持15mm最大樣品高度

    • 高精度X-Y平臺

    • 較小的EC探頭尺寸

    • 自動EC探針高度誤差校正

    • 兼容KLA薄膜電阻測量探針;


    KLA R54 四探針電阻率測量儀測量原理:

    四點探針(4PP)由四個導(dǎo)電探針組成的探頭以可控力接觸導(dǎo)電層表面,其中在被測導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電阻擋層。標(biāo)準(zhǔn)測量的探針配置是在兩個外側(cè)探針之間施加電流并在兩個內(nèi)側(cè)探針之間測量電壓。測量薄膜電阻時,導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個探針之間距離的1/2KLAR54四探針電阻率測量儀上研發(fā)了雙模技術(shù),該技術(shù)允許測量間隔探針上的電壓,并配置了邊界效應(yīng)動態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。KLA提供了豐富的探針類型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測量,幾乎可用于任何導(dǎo)電薄膜或離子注入層。


    電渦流(EC)是非接觸式導(dǎo)電薄膜測量技術(shù)。通過線圈施加時變電流以產(chǎn)生時變磁場,當(dāng)該磁場靠近導(dǎo)電表面時,會在該表面中產(chǎn)生感應(yīng)時變電流(渦流)。這些電渦流反過來會產(chǎn)生它們自己的時變磁場,該磁場與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號變化。KLA特殊的EC技術(shù),單個探頭位于樣品頂部,可以動態(tài)的調(diào)整每個測量點的探頭高度,這對測量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性相當(dāng)重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響,非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測量的樣品。


    圖片關(guān)鍵詞



    KLA R54 四探針電阻率測量儀行業(yè)應(yīng)用:

    半導(dǎo)體

    平板和VR顯示

    化合物半導(dǎo)體

    先進(jìn)封裝

    太陽能

    印刷電路

    穿戴設(shè)備

    導(dǎo)電材料


    KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品應(yīng)用:

    一、金屬薄膜均勻性

    金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對于確保元件性能相當(dāng)重要,大多數(shù)金屬薄膜都可以通過4PPEC進(jìn)行測量。EC推薦用于較厚的高導(dǎo)電金屬膜,4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq),但無論如何,4PP/EC均表現(xiàn)出高相關(guān)性,從而可以使用任何一種方法都可以獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。KLA R54 四探針電阻率測量儀電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動。


    二、離子注入表征

    4PP法是衡量離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測量技術(shù)。在熱退火后通過測試離子注入分布可以識別由于燈故障、晶圓/平臺接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點和冷點。對于硅離子注入層,熱退火工藝對于活化摻雜離子是必要的。


    三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

    通過采集的晶圓數(shù)據(jù),KLA R54 四探針電阻率測量儀可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過輸入材料的電阻率,可以計算和顯示膜厚分布;或者通過輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計算電阻率分布。


    四、數(shù)據(jù)采集和可視化

    KLA R54 四探針電阻率測量儀RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和分析功能結(jié)合在一起,擁有直觀的可視化界面,即可以用于設(shè)備本身,也可以進(jìn)行離線使用。軟件自帶的各種坐標(biāo)布局工具可以幫助用戶輕松設(shè)置數(shù)據(jù)測量點。



    KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品參數(shù):

    Z范圍:

    15mm

    Z平臺類型:

    自動

    X-Y平臺類型:

    自動

    樣品臺最大承重:

    2.5kg

    電學(xué)性能


    R54-4PP

    R54-EC

    測量點重復(fù)性:

    <0.02%

    <0.2%

    更多參數(shù)可聯(lián)系我們獲取


    KLA R54 四探針電阻率測量儀測量圖:

    圖片關(guān)鍵詞

    圖片關(guān)鍵詞


    標(biāo)簽: KLA 四探針電阻率測量

    關(guān)聯(lián)內(nèi)容

    立即預(yù)約 免費測樣

    無論您有什么問題,聯(lián)系我們,獲取您的專屬樣品測量方案!

    精密薄膜測量專家

    PRECISION THIN FILM MEASUREMENT EXPERT
    在線咨詢
    電話咨詢
    平臺:
    <samp id="meuei"></samp>
  • <ul id="meuei"></ul>
    
    
  • <samp id="meuei"><pre id="meuei"></pre></samp>
  • <samp id="meuei"><tfoot id="meuei"></tfoot></samp>
  • <th id="meuei"><nav id="meuei"></nav></th>
  • <th id="meuei"><nav id="meuei"></nav></th>