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    SiC半導(dǎo)體中膜厚測(cè)量解決方案

    2025-09-02 15:00:02 admin


    SiC半導(dǎo)體中

    膜厚測(cè)量解決方案


    優(yōu)尼康科技有限公司




    目錄

    01

    SiC半導(dǎo)體材料概述

    02

    SiC材料的優(yōu)點(diǎn)

    03

    SiC器件種類

    04

    SiC半導(dǎo)體應(yīng)用

    05

    SiC半導(dǎo)體廠商

    06

    SiC半導(dǎo)體測(cè)量需求

    01

      SiC半導(dǎo)體材料概述 

    圖片關(guān)鍵詞

    隨著第一代和第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟,目前在大規(guī)模使用的Si功率器件已經(jīng)達(dá)到其性能瓶頸,Si功率器件的工作頻率、功率、耐熱溫度、能效、耐惡劣環(huán)境及小型化等性能的提高面臨難以逾越的瓶頸。

    圖片關(guān)鍵詞

    現(xiàn)代科技越來(lái)越多的領(lǐng)域需要高頻率、高功率、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好的第三代半導(dǎo)體,而作為第三代半導(dǎo)體優(yōu)秀代表的SiC(Silcon carbide),越來(lái)越多的受到人們的關(guān)注。

    圖片關(guān)鍵詞

    作為一種新型的半導(dǎo)體材料,SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造短波長(zhǎng)光電子器件、高溫器件、抗輻照器件和大功率/高額電子器件重要的半導(dǎo)體材料。特別是在條件和惡劣條件下應(yīng)用時(shí),SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了Si器件和GaAs器件。因此,SiC器件和各類傳感器已逐步成為關(guān)鍵器件之一,發(fā)揮著越來(lái)超重要的作用。

    從20世紀(jì)80年代起,特別是1989年第一種SiC襯底圓片進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái),SiC器件和電路獲得了快速的發(fā)展。在某些領(lǐng)域,如發(fā)光二極管、高頻大功率和高電壓器件等,SiC器件已經(jīng)得到較廣泛的商業(yè)應(yīng)用。



    02

     SiC材料的優(yōu)點(diǎn) 

    Sic碳化硅材料一般有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):

    1.

    高擊場(chǎng)強(qiáng)

    2.

    導(dǎo)熱系數(shù)高

    3.

    高溫抗氧化能力強(qiáng)

    4.

    耐磨性能好

    5.

    化學(xué)性能穩(wěn)定

    6.

    高飽和以及電子漂移速率

    SiC與Si和GaAs的有關(guān)參數(shù)的對(duì)比

    圖片關(guān)鍵詞

    03

      SiC器件種類 

    碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。

    功率二極管

    結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管

    PiN二極管和超結(jié)二極管

    功率開(kāi)關(guān)管

    金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管(MOSFET)

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管(JFET)

    雙極型開(kāi)關(guān)管(BJT)

    絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

    門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)

    發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管(ETO)

    圖片6.png

    04

      SiC半導(dǎo)體應(yīng)用 

    碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用??蓮V泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。

    圖片5.png

    05

    SiC半導(dǎo)體廠商 

    國(guó)外廠商

    國(guó)內(nèi)廠商

    德國(guó)英飛凌

    株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體

    美國(guó)Cree公司

    啟迪新材料(蕪湖)

    GE

    無(wú)錫華潤(rùn)上華科技

    日本羅姆公司

    ...


    06

     SiC半導(dǎo)體測(cè)量需求 

    SiC半導(dǎo)體工藝量測(cè)中,常見(jiàn)的膜厚測(cè)試種類:

    Α-Si (1000-20000A)

    SiNx (100-4000A)

    SiO2 (30-10000A)

    USG (1000-20000A)

    C膜 (100-2000A)

    BPSG (1000-20000A)

    POLY (1000A-20000A)


    匹配產(chǎn)品型號(hào)

    圖片關(guān)鍵詞

    F50-UV

    圖片關(guān)鍵詞

    F54-UV

    測(cè)量參數(shù)

    圖片關(guān)鍵詞

    測(cè)量數(shù)據(jù)

    圖片關(guān)鍵詞

    C on SiC

    圖片關(guān)鍵詞

    POLY on SiC

    圖片關(guān)鍵詞

    SiO2 on SiC

    圖片關(guān)鍵詞

    SiNx on SiC

    圖片關(guān)鍵詞

    USG on SiC

    圖片關(guān)鍵詞

    BPSG on SiC


    本文作者

    圖片關(guān)鍵詞

    胡樹(shù)棟

    華東區(qū)銷售經(jīng)理

    薄膜測(cè)量行業(yè)從業(yè)十多年,對(duì)于薄膜量測(cè)的方案解決有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。讓微流控芯片行業(yè)中需要量測(cè)流道形貌及深度這類原本比較棘手的問(wèn)題得到了解決。

    長(zhǎng)風(fēng)破浪會(huì)有時(shí),直掛云帆濟(jì)滄海

    圖片關(guān)鍵詞


    我們深耕薄膜測(cè)量行業(yè)十多年,不論您在薄膜測(cè)量方面有什么問(wèn)題,我們的技術(shù)專家都可以為您提供有價(jià)值的建議或解決方案。歡迎來(lái)電,我們很高興與您討論您的應(yīng)用問(wèn)題。


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