電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它行業(yè), 而Filmetrics的儀器可以測量薄膜。常見的電介質有:
二氧化硅 – 簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。
氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內 “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!
測量范例
氮化硅薄膜作為電介質，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應用于半導體產業(yè)。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數。有趣的事，氮化硅薄膜的光學性質與薄膜的分子當量緊密相關。使用Filmetrics的氮化硅擴散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當量。
測量設定:
F20-UVX配RP-1-UV光纖
使用程式:
優(yōu)尼康公眾號
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